Модули флеш-памяти Toshiba NAND

1bd3f019

Toshiba Компания Toshiba сообщила о производстве свежих вделываемых модулей флеш-памяти на базе логики NAND, в которых чипсеты NAND сделаны с применением 19-нанометровой технологии 2-го поколения.

Такой модуль целиком соединим с заключительным стереотипом eMMC и нужен для использования в большом диапазоне цифровых потребительских товаров, включая телефоны, планшетные ПК и цифровые камеры. Стоковое изготовление стартует с конца декабря.

Модули флеш-памяти Toshiba NAND

В спроектированный организацией свежий вделываемый модуль памяти масштабом 32 килобайт интегрировано 4 разработанных с применением 19-нанометровой технологии 2-го поколения чипов NAND масштабом 64 Гбит (эквивалент 8 Гигабайт) любой и выделенный контроллер. Это расположено в малогабаритном каркасе объемом всего 11,5 x 13 x 1,0 миллиметров. Модуль соединим со стереотипом JEDEC e?MMC версии 5.0, размещенным Соединенным ответом по подготовке электронных механизмов (JEDEC) в начале сентября 2014 г, и гарантирует хорошую мощность чтения и записи благодаря использованию нового эталона скоростного внешнего вида HS400.

Компания Toshiba предложит серию вделываемых однокорпусных модулей флеш-памяти NAND масштабом от 4 до 128 Гигабайт. Они все будут встроены с контроллером, правящим базовыми функциями применения NAND. Стоковое изготовление модулей Toshiba THGBMBG8D4KBAIR (32 Гигабайт) и THGBMBG7D2KBAIL (16 Гигабайт) стартует в конце декабря. Скорость записи (поочередно, порядок HS400) достигает 90 Мегабайт/с у 32 Гигабайт модификации и 50 Мегабайт/с у 16 Гигабайт модификации, а скорость чтения — 270 Мегабайт/с. Прямо за устройствами масштабом 16 Гигабайт и 32 Гигабайт Toshiba выпустит также модули с размерами 4 Гигабайт, 8 Гигабайт, 64 Гигабайт и 128 Гигабайт.